三星电子现在宣布，它已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，该公司将其命名为第八代V-NAND。

新一代内存芯片可以带来2400MTps的传输速度，配合高端master使用可以轻松让消费级SSD的传输速度超过12GBps。

据悉，8代V-NAND可以提供1Tb (128GB)的解决方案。三星电子没有透露IC的尺寸和实际密度，但他们称之为业界最高的位密度。

三星声称，与现有的相同容量的闪存芯片相比，其新一代3D NAND闪存可以提高20%的单晶生产率，从而进一步降低成本(产量相同)，这可能意味着大家有望购买更便宜的相同容量的SSD。

该公司没有透露新产品架构，但根据提供的图像，我们可以假设这是一款双平面3D NAND芯片。

三星电子闪存产品和技术执行副总裁SungHoi Hur表示，“随着市场对更密集和更大存储的需求推动V-NAND层数的增加，三星采用了先进的3D压缩技术来减少表面积和高度，同时避免了压缩过程中通常会发生的单元间干扰。”“我们的第八代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更加差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”

今年年中，三星推出了第八代和第九代V-NAND产品以及第五代DRAM产品。在此之前，该公司目前为V-NAND提供512 Gb三级单元(TLC)产品。

此外，第五代DRAM产品为10nm (1b)器件，将于2023年进入量产阶段。据IT之家报道，三星即将推出的其他DRAM解决方案包括32gb ddr5x dram、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM和36 Gbps GDDR7 DRAM。

三星对其V-NAND声称，将在2030年前建造1000层的V-NAND。为了实现这一目标，三星正在从当前的TLC架构过渡到四级单元(QLC)架构，以增加密度和支持更多层。

三星还将在DRAM的研发方面投入更多资源，研究新的架构和材料，如High-K，帮助将DRAM扩展到10nm以上。该公司打算进一步开发其他DRAM解决方案，如内存处理(PIM)。