三星宣布已经成功开发了其首款采用12纳米(nm)工艺技术制造的16Gb DDR5 DRAM，并完成了与AMD兼容性的产品评估。

图来自三星电子，下同

三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高k材料来增加电池电容，以及专利设计技术来改善关键电路特性而实现的。

根据三星的数据，结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术，新的DRAM拥有三星最高的管芯密度，可以将晶圆生产率提高20%。基于DDR5的最新标准，三星的12纳米DRAM将解锁速度提升至每秒7.2千兆位(Gbps)。

能效方面，与上一代三星DRAM产品相比，12nm DRAM功耗降低约23%。

随着2023年新型DRAM的量产，三星计划将这款基于先进12nm制程技术的DRAM产品拓展到更广阔的市场。