根据三星代工厂在年度三星OEM论坛(SFF 2023)上发布的最新技术路线图，该公司计划在2025年推出2纳米SF2工艺，在2027年推出1.4纳米SF1.4工艺。同时，该公司还公布了SF2工艺的一些特点。

三星的SF2工艺在今年早些时候推出的第三代3纳米尺度(SF3)工艺的基础上进一步优化。与SF3相比，SF2技术在相同的频率和复杂度下可以提高25%的功率效率，在相同的功耗和复杂度下可以提高12%的性能，在相同的性能和复杂度下可以减少5%的面积。为了使SF2工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes。

继SF2之后，三星将于2026年推出针对高性能计算(HPC)优化的SF2P，2027年推出针对汽车应用优化的SF2A工艺。同样在2027年，该公司计划使用SF1.4(1.4纳米尺度)制造工艺开始量产。三星的2纳米工艺将与TSMC的N2(2纳米)工艺大致同步，比英特尔的20A工艺晚一年左右。

除了不断完善自己的工艺技术，三星代工还计划继续发展自己的射频技术。该公司预计，其5纳米射频技术将于2025年上半年准备就绪。与旧的14纳米射频技术相比，三星的5纳米射频技术有望提高40%的功耗效率和50%左右的晶体管密度。此外，三星将于2025年开始生产氮化镓(GaN)功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车等各种应用。

在扩大技术供应方面，三星OEM仍致力于扩大在韩国平泽和美国得克萨斯州泰勒的制造产能。三星计划于2023年下半年在其平泽第三生产线(P3)开始大规模生产芯片。泰勒市的新工厂预计将于今年年底完工，并将于2024年下半年开始运营。三星目前的计划是到2027年将洁净室产能比2021年提高7.3倍。