9月7日消息，联发科和TSMC今天联合宣布，首款采用TSMC 3nm工艺生产的天奇旗舰芯片取得了令人振奋的进展。这一重要合作的达成引起了技术领域的广泛关注。

消息称，TSMC的3纳米制程技术为高性能计算和移动应用提供了强大的支持平台。与之前的5 nm工艺相比，3 nm工艺技术的逻辑密度提高60%左右，在相同功耗下性能提高18%，或者在相同性能水平下功耗降低32%。这意味着未来的芯片将在性能和效率方面取得重大进步。

据ITBEAR科技资讯报道，联发科表示，采用TSMC 3nm工艺的天奇首款旗舰芯片计划于2024年下半年正式上市。这一消息引发了业界对未来移动设备和高性能计算的期待。

值得注意的是，不仅联发科与台积电合作在3纳米制程方面取得进展，业界其他芯片制造商也在积极攻关。有消息称，苹果有望率先利用台积电的3纳米产能，将其应用于最新的A17芯片中。此外，关于高通的3纳米芯片目前尚无确切消息，但预计将与联发科展开竞争，为市场带来更多创新和竞争力。整个芯片行业的竞争格局将因此发生重大变化，消费者可以期待在未来的移动设备和计算机上享受到更强大的性能和效率。