今日，联发科官方宣布，联发科首款采用TSMC 3nm工艺的天奇旗舰芯片研发成功，并于近日成功流片。预计2024年下半年上市，将成为联发科最强5G Soc。

据报道，TSMC的3纳米技术具有更强的性能、功耗和产量。与5nm工艺相比，3nm工艺的逻辑密度提高了60%左右，相同功耗下速度提高了18%，或者相同速度下功耗降低了32%。

在今年7月的季度财报会议上，TSMC CEO魏哲佳透露，去年底开始量产的N3 3nm工艺已经完全通过验证，性能和良率都达到了预期目标。

TSMC的第一代3nm工艺是N3B，技术非常先进复杂。使用了多达25个EUV光刻层，以及双重曝光，以实现更高的晶体管密度，这也使得价格更加昂贵。

第二代是N3E，EUV光刻层数减少到19层，不需要二次曝光会便宜很多，更适合主流产品。

值得一提的是，iPhone 15系列将于下周发布。其中，iPhone 15 Pro/Pro Max机型将升级苹果A17处理器，并推出TSMC 3nm工艺。芯片表现如何，值得期待。