IT之家9 月13 日报道，郭明池今天发布分析简报，简要分析了台积电投资ARM 和IMS 的动机。他认为，这两项投资是为了提高垂直集成能力，并确保从当前的3nm FinFET技术顺利过渡到2nm。 GAA技术。

IT之家特此附上郭明池原文如下：

我认为台积电这两项投资的主要目的是为了提高其垂直集成能力，以确保从目前的3纳米FinFET技术顺利过渡到2纳米GAA技术。

英特尔将采用18A工艺（约相当于台积电的2nm工艺）生产ARM自家芯片，这可能是台积电需要更积极投资ARM的原因之一。台积电可以投资ARM并进行更密切的合作（例如DTCO和STCO），以帮助基于台积电先进工艺和封装技术优化ARM IP。

苹果和英伟达最早可能在2026 年分别采用2nm 技术生产iPhone 处理器和B100 下一代AI 芯片。由于这两个潜在的2nm 客户也投资了ARM，台积电对ARM 的投资将有助于加强与苹果和英伟达的合作。并争取2nm订单。

投资IMS可以确保关键设备的技术开发和供应能够满足2nm商业化的需求。

英特尔公司今天发布新闻稿，同意将其约10% 的IMS 纳米加工业务出售给芯片代工厂台积电。

此外，台积电9月12日召开临时董事会会议，会议确定以不超过1亿美元的限额认购日本软银集团子公司Arm（ARM）普通股。至于认购价格，台积电表示将根据Arm首次公开募股的最终价格确定，预计本周将在纳斯达克上市。 （IT之家）