【TechWeb】3月24日，Nexperia宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，采用紧凑型8×8mm lf pak 88封装，具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求苛刻的热插拔和软启动应用进行了全面优化，工作温度可达175°C，适用于高级电信和计算设备。

Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE(100 V，2.3 m N沟道ASFET)在开发先进的晶圆和封装解决方案方面积累了数十年的专业知识，是其产品组合中的首选，它在紧凑的8x8 mm封装尺寸中结合了低RDS(on)和强大的线性模式(安全工作区)性能，可以满足严格的热插拔应用要求。此外，Nexperia还发布了一款80 V ASFET产品PSMN1R9-100SSE(80 V，1.9mω)，旨在响应计算服务器和其他工业应用中使用48 V电源轨的增长趋势。在这些应用中，环境条件允许MOSFET采用较低的VDS击穿电压额定值。

在热插拔和软启动应用中，采用增强型SOA的ASFET越来越受市场欢迎。当容性负载引入充电背板时，这些产品强大的线性模式性能对于高效、可靠地管理浪涌电流至关重要。当ASFET完全导通时，低RDS(on)对于最小化I2R损耗也很重要。除了更低的RDS(on)和更紧凑的封装尺寸，Nexperia的第三代增强型SOA技术与前几代D2PAK封装相比实现了10%的SOA性能提升(50 V和1 ms时的电流分别为33 A和30 A)。

Nexperia的另一项创新是，新的热插拔ASFET完整地指示了25°C和125°C下的SOA特性，数据手册中提供了高温下完全测试的SOA曲线，设计工程师无需计算热降额，这显著扩展了高温下的实际SOA性能。

到目前为止，适用于热插拔和计算应用的ASFET通常封装在更大尺寸的D2PAK (16x10 mm)中。LFPAK88封装是D2PAK封装的理想替代方案，空间节省效率高达60%。PSMN2R3-100SSE的RDS(on)仅为2.3mω，比现有器件至少低40%。LFPAK88不仅将功率密度提高了58倍，还提供了两倍的ID(max)额定电流和超低的热阻和电阻。该产品结合了Nexperia先进的晶圆和铜夹封装技术的功能优势，包括更小的尺寸、更低的RDS(on)和更好的SOA性能。Nexperia还提供25 V、30 V、80 V和100 V ASFET系列产品，采用5x6 mm LFPAK56E封装，并针对要求较小PCB引脚尺寸的低功耗应用进行了优化。