东芝电子元件和存储设备有限公司(& ldquo东芝& rdquo)近日宣布推出采用最新一代技术制造的“TK055U60Z1”，进一步扩大了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600±600v，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。这款新品是东芝DTMOSVI系列的首款600V产品，已经批量出货。

通过优化栅极设计和工艺，与东芝目前相同漏源电压额定值的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的漏源导通电阻降低约13%，漏源导通电阻为& x；栅极泄漏电荷(MOSFET性能的品质因数)减少了约52%。这有助于保证该系列产品能够实现导通损耗和开关损耗的双重降低，最终实现开关电源效率的提升。

新产品采用TOLL包，栅极驱动采用开尔文连接。通过降低封装中源线电感的影响，可以增强MOSFET的高速开关性能，从而抑制开关过程中的振荡。

未来，东芝将继续扩充600V DTMOSVI系列产品线和已发布的650V DTMOSVI系列产品，通过降低开关电源的功耗来达到节能的目的。