据业内消息@中中中中中中中，英伟达已经和三星就3nm GAA工艺进行了接触，如果一切顺利，计划在2025年量产。

Hardwaretimes此前报道称，下一代英伟达旗舰显卡RTX 5090将采用3纳米技术，预计将于明年年底推出。

英伟达RTX 40系列显卡代号阿达·洛芙莱斯，下一代RTX显卡代号布莱克威尔，晶体管数量超过150亿，密度逼近3亿个/mm & sup 2；核心时钟将超过3 Ghz，总线密度将达到512位。

根据早前外媒Club 386泄露的消息，基于GB102的RTX 5090包含144组SM单元，即18432个cuda(假设每组SM仍为128个cuda)，比RTX 4090多出12.5%，拥有96MB二级缓存，匹配GDDR7内存(384位宽)，支持PCIe 5.0x16

IT之家报道称，微星还在台北Computex电脑展上展示了下一代NVIDIA RTX旗舰显卡的散热设计。

从图中可以看出，微卫星采用了动态双金属鳍片，六个贯通的纯铜热管和大面积铝鳍片也嵌入了铜片，进一步增强散热，内存区域也有相应的铜片，不出意外的话说明下一代显卡将会以散热为主。

结合目前曝光的信息，结合这样的散热条件，RTX 5090的原始功耗和发热应该会给人留下很深的印象。