【手机评测网】12月4日消息，三星电子的极紫外（EUV）光刻技术近期取得重大突破。据悉，三星电子DS部门研究员Kang

Young-seok详细介绍了公司EUV技术的最新进展和未来计划。在这一技术领域，三星使用的EUV薄膜的透光率已成功提高到90%，并有计划进一步提高到94%-96%。 EUV 薄膜在半导体制造中发挥着重要作用。作为光刻工艺所需的关键材料，其主要作用是在半导体器件制造过程中充当保护层，防止异物影响缺陷。

该技术的关键点在于EUV薄膜的透过率，目前已达到90%，但相比之下，这意味着只有90%的光线能够穿透薄膜到达掩模版，这可能会对电路图案的准确性。一定的影响。与传统氟化氩（ArF）工艺采用的99.3%的薄膜透过率相比，还有一定的差距。有外媒指出，EUV薄膜在商业化过程中可能面临挑战，因为EUV工艺过程中产生的热量可能会导致薄膜变形或破裂。

据手机评测网了解，三星已在其部分高端EUV代工生产线上引入了这一新薄膜技术，为其主要客户提供服务。尽管三星也在其DRAM 生产线上应用了EUV 技术，但出于生产率和成本考虑，该公司认为在内存量产中不使用这种薄膜技术也是可行的。

三星使用的EUV薄膜并非来自韩国国内供应商，而是由日本三井物产提供。虽然韩国的一些公司，比如FST和SS

Tech，正在积极开发EUV薄膜，但尚未实现量产。相比之下，三星的竞争对手台积电已成功在其7纳米及以下工艺的生产线上使用了自己的EUV薄膜，显示出该领域的激烈竞争。