近日，消息源 @Tech_Reve 发布推文指出，高通公司将全面采用台积电的3nm工艺制造其旗舰芯片，包括今年发布的骁龙8 Gen 4在内。不过，明年即将推出的骁龙8 Gen 5将采用多晶圆厂方案，引起了业界的关注和热议。

　　三星工艺的转变

　　据报道，早期高通曾委托三星生产骁龙8 Gen 1芯片，但由于过热和效率低下等问题，后来转向了台积电，成为其独家代工合作伙伴。

　　然而，明年的局面将有所改变。常规的骁龙8 Gen 5芯片仍将采用台积电的3nm工艺N3E制造，而适用于三星旗舰Galaxy S26系列的骁龙8 Gen 5芯片将采用三星的SF2P工艺。

　　SF2工艺的优势

　　SF2工艺相比于SF3，能够在相同的频率和复杂度下提高25%的功耗效率，提高12%的性能，同时减少5%的面积。为了提升SF2工艺的竞争力，三星还将提供一系列先进的IP组，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。

　　而SF2P工艺则是在SF2工艺基础上再次优化，预计在性能方面会有更大的提升。

　　性能与设计方案

　　根据之前的消息，高通骁龙8 Gen 5将采用“Pegasus”核心，配备“2+6”的集群设计方案以及Slice GPU架构，为用户带来更加出色的性能和体验。

　　高通骁龙8 Gen 5芯片的到来，将为手机性能带来全新的突破。三星工艺的加入，使得性能得到更大的提升，相信未来的旗舰手机将会有更加强劲的表现！